400-677-0098
碳化硅外延生長(zhǎng)爐
碳化硅外延生長(zhǎng)爐
產(chǎn)品描述:
碳化硅外延生長(zhǎng)爐主要用于石墨盤(pán)或碳化盤(pán)的碳化硅外延生長(zhǎng)制備
應(yīng)用范圍:
石墨盤(pán)、碳化盤(pán)

碳化硅外延生長(zhǎng)爐技術(shù)特征

采用先進(jìn)的控制技術(shù),能精密控制MTS/MS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動(dòng)??;

多通道工藝氣路,流場(chǎng)均勻,無(wú)沉積死角,沉積效果好;

多級(jí)高效尾氣處理系統(tǒng),能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物,環(huán)境友好;

適于工藝氣氛:真空/H2/N2/Ar/MTS/MS。

碳化硅外延生長(zhǎng)爐產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號(hào)HCVD-101015-SiCHCVD-152023-SiCVCVD-0608-SiCVCVD-0612-SiCVCVD-0812-SiCVCVD-1120-SiCVCVD-1218-SiCVCVD-1520-SiC
工作區(qū)尺寸 W×H×L(mm)1000×1000×15001500×2000×2300600×800600×1200800×12001100×20001200×18001500×2000
最高溫度(℃)15001500150015001500150015001500
溫度均勻性(℃)±10/±15±15/±20±5/±7.5±7.5/±10±7.5/±10±10/±15±10/±15±15/±20
極限真空度(Pa)1-1001-1001-1001-1001-1001-1001-1001-100
壓升率(Pa/h)0.670.670.670.670.670.670.670.67
加熱方式電阻電阻電阻電阻電阻電阻電阻電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整,不作為驗(yàn)收依據(jù),具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。

碳化硅外延生長(zhǎng)爐配置選擇

結(jié)構(gòu)形式:臥式-單開(kāi)門(mén)/雙開(kāi)門(mén);立式-上出料/下出料

爐門(mén)鎖緊方式:手動(dòng)/自動(dòng)

爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼

保溫材質(zhì):碳?xì)?石墨氈/碳纖維固化氈

加熱器、馬弗材質(zhì):石墨/CFC

熱電偶:C/S分度號(hào)

真空泵:機(jī)械泵組/耐腐蝕泵組

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半導(dǎo)體材料熱工裝備

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