400-677-0098
碳化硅化學(xué)氣相涂層爐
碳化硅化學(xué)氣相涂層爐
產(chǎn)品描述：
用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的石墨或陶瓷表面的碳化硅化學(xué)氣相涂層。
應(yīng)用范圍：
熱彎模具、導(dǎo)流筒、半導(dǎo)體坩堝、外延載盤、晶舟、爐管等。產(chǎn)品純度≥99.999%/99.9999%。

碳化硅化學(xué)氣相涂層爐技術(shù)特征

采用先進(jìn)的進(jìn)氣控制技術(shù)，能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積壓力穩(wěn)定，壓力波動(dòng)??；

多通道工藝氣路，配合旋轉(zhuǎn)料臺(tái)，無沉積死角；

溫度場(chǎng)與氣流場(chǎng)耦合采用仿真輔助設(shè)計(jì)，溫度場(chǎng)與氣流場(chǎng)的均勻性好；

多級(jí)尾氣處理系統(tǒng)，能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產(chǎn)物，環(huán)境友好；

爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，熱場(chǎng)材料采用低灰分材質(zhì)，嚴(yán)格把控進(jìn)氣管路材質(zhì)（選用EP級(jí)材質(zhì)）；

適于工藝氣氛：真空/H2/N2/Ar/MTS等。


碳化硅化學(xué)氣相涂層爐產(chǎn)品規(guī)格

參數(shù)\型號(hào)HCVD-101015-SiCHCVD-121220-SiCVCVD-0608-SiCVCVD-0812-SiCVCVD-1015-SiCVCVD-1218-SiCVCVD-1520-SiCVCVD-1530-SiC
工作區(qū)尺寸 W×H×L（mm）1000×1000×15001200×1200×2000600×800800×12001000×15001200×18001500×20001500×3000
最高溫度（℃）1500
溫度均勻性（℃）±10/±15±15/±20±5/±7.5±7.5/±10±10/±15±10/±15±15/±20±15/±20
極限真空度（Pa）1-100
壓升率（Pa/h）0.67
加熱方式電阻

以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整，不作為驗(yàn)收依據(jù)，具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。

碳化硅化學(xué)氣相涂層爐配置選擇

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